G652D光纖宏彎損耗測(cè)試方法的實(shí)踐及數(shù)據(jù)分析
G652D光纖宏彎損耗測(cè)試方法的實(shí)踐及數(shù)據(jù)分析
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而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測(cè)量和測(cè)量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈光纖進(jìn)行試驗(yàn)，在此情況下，繞的圈數(shù)環(huán)的半徑和最大允許的彎曲損耗都應(yīng)該選的與30mm半徑100圈試驗(yàn)的損耗值相適應(yīng)。
大多光纖廠家都提供Φ60mm*100圈的判斷標(biāo)準(zhǔn)，然而，在日常的測(cè)試工作中，若要采用方便快捷的實(shí)驗(yàn)方法，則傾向于按照注2中的建議去進(jìn)行一些常規(guī)判斷。因此，掌握Φ32mm*1圈與Φ60mm*100圈的數(shù)據(jù)差異就十分有必要。
一、兩種宏彎損耗測(cè)試方法的比較
圖為 兩種宏彎損耗測(cè)試方法示意圖
用上述方法對(duì)10盤正常生產(chǎn)條件下的光纖樣品進(jìn)行對(duì)比測(cè)試。
整體數(shù)據(jù)匯總圖形如下：
從整體數(shù)據(jù)匯總圖可看出Φ32mm*1宏彎測(cè)試方法所得數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差都比Φ60mm*100的要小，且數(shù)據(jù)相對(duì)穩(wěn)定，重復(fù)性好。當(dāng)然所抽樣 品也不是完全都遵循此規(guī)律，10個(gè)樣品中有3個(gè)樣品在1625nm窗口下Φ32mm*1所得數(shù)據(jù)的平均值大于Φ60mm*100所測(cè)得的；還有1個(gè)樣品在 1550nm、1625nm窗口下所得數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)偏差大于Φ60mm*100的。
10個(gè)樣品用兩種測(cè)試方法所得數(shù)據(jù)的平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差相差不大，處于一個(gè)數(shù)據(jù)等級(jí)內(nèi)。Φ32mm*1的判斷標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)考慮的與60mm*100比較接近。
在測(cè)試過(guò)程中，Φ32mm*1宏彎測(cè)試方法易于操作，能減少測(cè)試誤差，根據(jù)GB/T9771.3-2008宏彎損耗的說(shuō)明，認(rèn)為Φ32mm*1宏彎測(cè)試方法可作為判斷光纖宏彎性能的一種簡(jiǎn)便方法。
而Φ60mm*100作為標(biāo)準(zhǔn)明確規(guī)定一種方法，其準(zhǔn)確性的提高需依賴于測(cè)試裝置的改良，如，保證光纖以盡可能一致的直徑、適宜的張力纏繞100圈。
二、宏彎與截止波長(zhǎng)的關(guān)系
為更好的摸索宏彎損耗與截止波長(zhǎng)的關(guān)系，隨機(jī)抽取760個(gè)樣品進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)如圖1、圖2：
圖1：1550nm宏彎損耗與截止波長(zhǎng)分布
圖2：1625nm宏彎損耗與截止波長(zhǎng)分布
由圖1可明顯看出1625nm的數(shù)據(jù)較1550nm窗口下宏彎損耗分散，實(shí)際數(shù)據(jù)證實(shí)長(zhǎng)波長(zhǎng)對(duì)彎曲的敏感程度更甚。
由圖2可看出1625nm宏彎損耗相對(duì)集中時(shí)對(duì)應(yīng)的截止波長(zhǎng)也相對(duì)集中分布在1210nm-1290nm，截止波長(zhǎng)越小，宏彎損耗越大，且分布散亂無(wú)規(guī)律。
通過(guò)以上分析，可以看出截止波長(zhǎng)對(duì)宏彎損耗有一定的影響，當(dāng)截止波長(zhǎng)分布在1210nm-1290nm范圍內(nèi)時(shí)，1550nm、1625nm窗口下宏彎損耗相對(duì)集中，數(shù)據(jù)穩(wěn)定，這為我們優(yōu)化工藝改善宏彎損耗提供了有利的數(shù)據(jù)依據(jù)。
三、結(jié)論
1、Φ32mm*1宏彎測(cè)試方法可作為判斷光纖宏彎性能的一種簡(jiǎn)便方法。
2、而Φ60mm*100作為標(biāo)準(zhǔn)明確規(guī)定的一種方法，其準(zhǔn)確性的提高需依賴于測(cè)試裝置的改良。
3、大量實(shí)踐數(shù)據(jù)驗(yàn)證了截止波長(zhǎng)與宏彎損耗存在相關(guān)性。
